2024年北京航空航天大学非全日制研究生招生考试《集成电路类专业综合》考试大纲

　　模拟电路部分(满分50分)

　　一. 复习内容及基本要求

　　1. CMOS模拟电路的大信号特性分析

　　主要内容：MOS管的大信号模型、MOS管的工作区。

　　CMOS模拟电路的直流大信号分析，CMOS模拟电路中的晶体管工作状态分析。

　　基本要求：掌握原理，理解概念，分析计算电路参数。

　　2. CMOS模拟电路的低频小信号特性分析

　　主要内容：MOS管的低频小信号模型、CMOS模拟电路的低频性能参数。

　　共源级、源随器、共栅级、共源共栅级、差分放大器、电流镜和五管跨导运算放大器(OTA)等CMOS模拟电路的低频性能参数的计算与分析，包括增益、输入电阻、输出电阻、摆幅和共模抑制比等。

　　基本要求：掌握原理，理解概念，分析计算电路参数。

　　3. CMOS模拟电路的频率特性分析

　　主要内容：MOS管的高频小信号模型、CMOS模拟电路的频率响应参数。

　　CMOS模拟电路的频率响应参数的计算与分析，包括传输函数、零点、极点、带宽、增益带宽积等;波特图的绘制方法。

　　基本要求：掌握原理，理解概念;在给定详细电路图的条件下，能够分析基本CMOS模拟电路的频率响应，并能够绘制波特图。

　　4. 运算放大器(运放)及负反馈

　　主要内容：运放主体模块的设计，负反馈放大电路的特性。

　　运放主体模块的设计步骤，包括套筒式共源共栅运放、折叠式共源共栅运放和密勒补偿型两级运放;负反馈对放大电路性能的影响，开环增益、闭环增益、环路增益等指标的含义;负反馈放大电路的稳定性分析。

　　基本要求：掌握原理，理解概念;给定一组性能指标和一种运放电路结构(套筒式共源共栅运放、折叠式共源共栅运放和密勒补偿型两级运放中的一种)，能够设计满足指标要求的运放;能够判断负反馈放大电路的稳定性，并进行稳定性补偿。

　　5. MOS晶体管的噪声与失调

　　主要内容：MOS管的噪声模型、MOS管的失调模型、运放的非理想因素输入等效变换

　　MOS晶体管中闪烁噪声和热噪声的基本模型，随机性失配的因素;等效输入噪声和等效输入失配的换算方法;非理想因素优化的基本思路;随机性失调对运放算法电路(比例运算、加减法等)的影响。

　　基本要求：掌握原理，理解概念;对于一个给定参数的噪声或失配模型，能够根据模型及电路进行等效输入的换算。

　　二.建议参考但不限于：

　　1. Behzad Razavi著，陈贵灿、程军、张瑞智、张鸿译，模拟CMOS集成电路设计(第2版)，西安交通大学出版社(2018年)。